FCMT360N65S3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Easy Drive 650V 10A 360 mOhm
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки10 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
840
+
Бонус: 16.8 !
Бонусная программа
Итого: 840
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Easy Drive 650V 10A 360 mOhm
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки10 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.6 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности83 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора18 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток360 mOhms
серияSuperFET3
технологияSi
типичное время задержки при включении12 ns
типичное время задержки выключения34 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокPQFN-4
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
вес, г0.1561
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания11 ns
время спада10 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль