Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SF3 650V 125MOHM MO SFET

Подробное описание

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	24 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор

Все характеристики

1 100 ₽

– +

Бонус: 22 !

Бонусная программа

Итого: 1 100 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	24 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	16 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
ограничения на доставку	Для осуществления экспорта данного продукта из США
pd - рассеивание мощности	181 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	49 nC
размер фабричной упаковки	3000
rds вкл - сопротивление сток-исток	125 mOhms
типичное время задержки при включении	22 ns
типичное время задержки выключения	60 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ON Semiconductor
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	PQFN-4
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	22 ns
время спада	5.8 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

FCMT125N65S3