FCD600N60Z, MOSFET 600V N-Channel MOSFET

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FCD600N60Z
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
fall time:8 ns
forward transconductance - min:6.7 S
id - continuous drain current:7.4 A
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
package/case:DPAK-3
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:89 W
product:MOSFET
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:20 nC
rds on - drain-source resistance:600 mOhms
rise time:7 ns
series:FCD600N60Z
subcategory:MOSFETs
technology:Si
tradename:SuperFET II
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical turn-off delay time:39 ns
typical turn-on delay time:13 ns
vds - drain-source breakdown voltage:650 V
вес, г0.33
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:3.5 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль