FCB20N60TM

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор HIGH POWER
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки20 A
1 440
+
Бонус: 28.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор HIGH POWER
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеSuperFET
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности208 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток190 mOhms
серияFCB20N60
технологияSi
типичное время задержки при включении62 ns
типичное время задержки выключения230 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г1.312
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания140 ns
время спада65 ns
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль