EM6K7T2CR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationDual
factory pack quantity8000
29
+
Бонус: 0.58 !
Бонусная программа
Итого: 29
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationDual
factory pack quantity8000
fall time10 ns
id - continuous drain current200 mA
manufacturerROHM Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels2 Channel
package / caseSOT-563-6
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation150 mW
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
rds on - drain-source resistance1.2 Ohms
rise time10 ns
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityN-Channel
transistor type2 N-Channel
typical turn-off delay time15 ns
typical turn-on delay time5 ns
vds - drain-source breakdown voltage20 V
vgs - gate-source voltage8 V
vgs th - gate-source threshold voltage300 mV
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль