EFC6601R-TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки:13 A
канальный режим:Enhancement
категория продукта:МОП-транзистор
94
+
Бонус: 1.88 !
Бонусная программа
Итого: 94
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки:13 A
канальный режим:Enhancement
категория продукта:МОП-транзистор
количество каналов:2 Channel
конфигурация:Dual
максимальная рабочая температура:+150 C
минимальная рабочая температура:-55 C
pd - рассеивание мощности:2 W
подкатегория:MOSFETs
полярность транзистора:N-Channel
производитель:onsemi
qg - заряд затвора:48 nC
размер фабричной упаковки:5000
rds вкл - сопротивление сток-исток:11.5 mohms
серия:efc6601r
технология:Si
тип продукта:MOSFET
торговая марка:onsemi
упаковка:Cut Tape, MouseReel, Reel
упаковка / блок:wlcsp-6
vds - напряжение пробоя сток-исток:24 v
вес, г0.07
vgs - напряжение затвор-исток:-12 V, +12 V
вид монтажа:SMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль