ECH8693R-TL-W

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
fall time:22200 ns
forward transconductance - min:8 S
id - continuous drain current:14 A
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:2 Channel
package/case:ECH-8
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:1.4 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:13 nC
rds on - drain-source resistance:7 mOhms
rise time:525 ns
series:ECH8693R
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:2 N-Channel
typical turn-off delay time:18650 ns
typical turn-on delay time:545 ns
vds - drain-source breakdown voltage:24 V
vgs - gate-source voltage:-12.5 V, +12.5 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1.3 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль