DN2535N5-G
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 350 В 500 мА (Tj) 15 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220-3
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| base product number | DN2535 -> |
| channel mode | Depletion |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 500mA (Tj) |
| длина | 10.67 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 350V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 0V |
| eccn | EAR99 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| fet feature | Depletion Mode |
| fet type | N-Channel |
| Высота | 9.02 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 500 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 300pF @ 25V |
| канальный режим | Depletion |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 325 mS |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| material | Si |
| maximum continuous drain current (a) | 0.5 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 25000 0V |
| maximum drain source voltage (v) | 350 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 15000 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 |
| packaging | Tube |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pcn assembly/origin | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| pcn packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| pd - рассеивание мощности | 15 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 15W (Tc) |
| ppap | No |
| process technology | DMOS |
| product category | Power MOSFET |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| rds on (max) @ id, vgs | 25Ohm @ 120mA, 0V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 25 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| standard package name | TO-220 |
| supplier device package | TO-220-3 |
| supplier package | TO-220 |
| tab | Tab |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 10 ns |
| типичное время задержки выключения | 15 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Microchip Technology |
| typical fall time (ns) | 20(Max) |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 200 25V |
| typical rise time (ns) | 15(Max) |
| typical turn-off delay time (ns) | 15(Max) |
| typical turn-on delay time (ns) | 10(Max) |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 350 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 15 ns |
| время спада | 20 ns |
| Ширина | 4.83 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26