DMTH43M8LK3Q-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: 31V-40V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки100 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: 31V-40V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки100 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности88 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора38.5 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток2.9 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении5.2 ns
типичное время задержки выключения23.5 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
вес, г0.33
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания5.7 ns
время спада11 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль