DMTH10H005SCT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: 61V-100V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки140 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
680
+
Бонус: 13.6 !
Бонусная программа
Итого: 680
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: 61V-100V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки140 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности187 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора111.7 nC
размер фабричной упаковки50
rds вкл - сопротивление сток-исток3.8 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении29.9 ns
типичное время задержки выключения79.7 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокTO-220AB-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г1.85
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания30.3 ns
время спада41.6 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль