Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 61V-100V

Подробное описание

650 ₽

– +

Бонус: 13 !

Бонусная программа

Итого: 650 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	140 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	187 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	114 nC
размер фабричной упаковки	50
rds вкл - сопротивление сток-исток	4 mOhms
серия	DMTH10H005
технология	Si
типичное время задержки при включении	25 ns
типичное время задержки выключения	83.6 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220AB-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
вес, г	1.8
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.4 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	26.9 ns
время спада	53.1 ns

Отзывов нет

Кнопки

DMTH10H005LCT