DMT10H072LFV-7, MOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMT10H072LFV-7
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
fall time:4.3 ns
id - continuous drain current:20 A
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
package/case:PowerDI3333-8
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:37.8 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:4.5 nC
rds on - drain-source resistance:62 mOhms
rise time:3.1 ns
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical turn-off delay time:12.3 ns
typical turn-on delay time:3 ns
vds - drain-source breakdown voltage:100 V
вес, г0.03
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1.5 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль