DMS2220LFDB-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V 3.5A P-CHNL
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeP
41
+
Бонус: 0.82 !
Бонусная программа
Итого: 41
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V 3.5A P-CHNL
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeP
configurationSingle
длина2 mm
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
Высота 0.56 мм
hts8541.29.00.95
id - непрерывный ток утечки3.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
lead shapeNo Lead
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum continuous drain current (a)3.5
maximum drain source resistance (mohm)95@4.5V
maximum drain source voltage (v)20
maximum gate source voltage (v)±12
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1400
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
package height0.56
package length2
package width2
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed6
pd - рассеивание мощности1.4 W
pin count6
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
product categoryPower MOSFET
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток95 mOhms
серияDMS2220
standard package nameDFN
supplier packageDFN-B EP
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
typical input capacitance @ vds (pf)632@10V
упаковка / блокU-DFN2020-B-6
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V
вид монтажаSMD/SMT
Ширина2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль