DMP6185SK3-13, MOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgs -14A 1.6W

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMP6185SK3-13
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
fall time:39 ns
id - continuous drain current:3.6 A
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
package/case:TO-252-3
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:1.6 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:14 nC
rds on - drain-source resistance:120 mOhms
rise time:23 ns
series:DMP61
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:P-Channel
transistor type:1 P-Channel
typical turn-off delay time:33 ns
typical turn-on delay time:5.2 ns
vds - drain-source breakdown voltage:60 V
вес, г0.34
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:3 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль