DMP58D0LFB-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60 X1-DFN1006-3 T&R 3K
Вес и габариты
base product numberDMP58 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c180mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)50V
98
+
Бонус: 1.96 !
Бонусная программа
Итого: 98
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60 X1-DFN1006-3 T&R 3K
Вес и габариты
base product numberDMP58 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c180mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)50V
drive voltage (max rds on, min rds on)2.5V, 5V
eccnEAR99
fet typeP-Channel
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки180 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds27pF @ 25V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case3-UFDFN
pd - рассеивание мощности470 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
power dissipation (max)470mW (Ta)
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs8Ohm @ 100mA, 5V
rds вкл - сопротивление сток-исток8 Ohms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияDMP58
supplier device package3-X1DFN1006
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении30.7 ns
типичное время задержки выключения201.8 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокX1-DFN1006-3
vds - напряжение пробоя сток-исток50 V
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs(th) (max) @ id2.1V @ 250ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания84.1 ns
время спада32.2 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль