DMP31D0U-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 30V P-Ch ENH Mode FET -30Vdss 8V 2.5A
Вес и габариты
base product numberDMP31 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c530mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)30V
40
+
Бонус: 0.8 !
Бонусная программа
Итого: 40
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 30V P-Ch ENH Mode FET -30Vdss 8V 2.5A
Вес и габариты
base product numberDMP31 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c530mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)1.8V, 4.5V
eccnEAR99
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs0.9nC @ 4.5V
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки530 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds76pF @ 15V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - рассеивание мощности710 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
power dissipation (max)450mW (Ta)
qg - заряд затвора1.5 nC
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs1Ohm @ 400mA, 4.5V
rds вкл - сопротивление сток-исток2 Ohms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияDMP31
supplier device packageSOT-23
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
тип продуктаMOSFET
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-23-3
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs (max)В±8V
vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
vgs(th) (max) @ id1.1V @ 250ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль