DMP3085LSD-13, MOSFET P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMP3085LSD-13
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
continuous drain current (id) @ 25в°c3.9A
96
+
Бонус: 1.92 !
Бонусная программа
Итого: 96
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
continuous drain current (id) @ 25в°c3.9A
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
fall time:14.6 ns
forward transconductance - min:5.8 S
id - continuous drain current:3.9 A
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:2 Channel
package/case:SOIC-8
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:1.1 W
power dissipation-max (ta=25в°c)1.1W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:11 nC
rds on - drain-source resistance70mО© @ 5.3A,10V
rds on - drain-source resistance:70 mOhms, 70 mOhms
rise time:5 ns
series:DMP3085
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity2 P Channel(Double)
transistor polarity:P-Channel
transistor type:2 P-Channel
typical turn-off delay time:14.6 ns
typical turn-on delay time:4.8 ns
vds - drain-source breakdown voltage30V
vds - drain-source breakdown voltage:30 V
вес, г0.75
vgs - gate-source voltage3V @ 250uA
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:3 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль