DMP3056LSSQ-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки4.9 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
64
+
Бонус: 1.28 !
Бонусная программа
Итого: 64
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки4.9 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
qg - заряд затвора17.3 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток45 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении4.7 ns
типичное время задержки выключения43 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSO-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания5 ns
время спада20 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль