DMP3056LSS-13, MOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMP3056LSS-13
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
continuous drain current (id) @ 25в°c7.1A
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
continuous drain current (id) @ 25в°c7.1A
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
fall time:14.7 ns
id - continuous drain current:7.1 A
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
package/case:SOIC-8
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:2.5 W
power dissipation-max (ta=25в°c)2.5W
product:MOSFET Small Signal
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:13.7 nC
rds on - drain-source resistance45mО© @ 6A,10V
rds on - drain-source resistance:45 mOhms
rise time:5.3 ns
series:DMP3056
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarityP Channel
transistor polarity:P-Channel
transistor type:1 P-Channel
typical turn-off delay time:26.5 ns
typical turn-on delay time:6.4 ns
vds - drain-source breakdown voltage30V
vds - drain-source breakdown voltage:30 V
вес, г0.85
vgs - gate-source voltage2.1V @ 250uA
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:2.1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль