DMP21D6UFD-7, P-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin X1-DFN1212 Diodes Inc DMP21D6UFD-7
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMP21D6UFD-7
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V
| Вес и габариты | |
| base product number | DMP21 -> |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 600mA (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 20V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 1.2V, 4.5V |
| eccn | EAR99 |
| factory pack quantity | 3000 |
| fall time | 19.2 ns |
| fet type | P-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 0.8nC @ 8V |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - continuous drain current | 600 mA |
| id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 46.1pF @ 10V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| number of channels | 1 Channel |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 3-UDFN |
| pd - power dissipation | 800 mW |
| pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| power dissipation (max) | 400mW |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| qg - gate charge | 500 pC |
| qg - заряд затвора | 500 pC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 700 mOhms |
| rds on (max) @ id, vgs | 1Ohm @ 100mA, 4.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rise time | 4.3 ns |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| subcategory | MOSFETs |
| supplier device package | X1-DFN1212-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 8.5 ns |
| типичное время задержки выключения | 20.2 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | P-Channel |
| typical turn-off delay time | 20.2 ns |
| typical turn-on delay time | 8.5 ns |
| упаковка / блок | X1-DFN1212-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 20 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs - gate-source voltage | 4.5 V |
| vgs (max) | В±8V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 500 mV |
| vgs(th) (max) @ id | 1V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 4.3 ns |
| время спада | 19.2 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26