DMP21D0UFB-7B

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V P-Ch Enh FET Pd .43W -8Vgss -5.0A
Вес и габариты
длина1 mm
Высота 0.5 мм
id - непрерывный ток утечки770 mA
96
+
Бонус: 1.92 !
Бонусная программа
Итого: 96
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V P-Ch Enh FET Pd .43W -8Vgss -5.0A
Вес и габариты
длина1 mm
Высота 0.5 мм
id - непрерывный ток утечки770 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle with ESD Protection Diode
крутизна характеристики прямой передачи - мин.50 mS
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности430 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
продуктMOSFET
qg - заряд затвора1.5 nC
размер фабричной упаковки10000
rds вкл - сопротивление сток-исток960 mOhms
серияDMP21D0UFB
технологияSi
типичное время задержки при включении7.1 ns
типичное время задержки выключения31.7 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel, ESD
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокX1-DFN1006-3
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток700 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания8 ns
время спада18.5 ns
Ширина0.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль