DMP2160UFDBQ-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор Dual P-Ch Enh FET VDSS -20V -12VGSS
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки3.8 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор Dual P-Ch Enh FET VDSS -20V -12VGSS
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки3.8 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.4 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
qg - заряд затвора6.5 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток68 mOhms
серияDMP2160
технологияSi
типичное время задержки при включении11.51 ns
типичное время задержки выключения55.34 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 P-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокU-DFN2020-B-6
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток900 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания12.09 ns
время спада27.54 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль