DMP2012SN-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V 700mA
Вес и габариты
длина3.1 mm
Высота 1.3 мм
id - непрерывный ток утечки700 mA
100
+
Бонус: 2 !
Бонусная программа
Итого: 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V 700mA
Вес и габариты
длина3.1 mm
Высота 1.3 мм
id - непрерывный ток утечки700 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура65 C
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток300 mOhms
серияDMP2012
технологияSi
типичное время задержки при включении5 ns
типичное время задержки выключения55 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-23-3
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
вес, г0.008
vgs - напряжение затвор-исток12 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания20 ns
время спада20 ns
Ширина1.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль