DMP2004VK-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: SOT563, АБМОП-транзистор Dual P-Channel
Вес и габариты
base product numberDMP2004 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c530mA
длина1.6 mm
17
+
Бонус: 0.34 !
Бонусная программа
Итого: 17
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: SOT563, АБМОП-транзистор Dual P-Channel
Вес и габариты
base product numberDMP2004 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c530mA
длина1.6 mm
drain to source voltage (vdss)20V
eccnEAR99
fet featureLogic Level Gate
fet type2 P-Channel (Dual)
Высота 0.6 мм
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки530 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds175pF @ 16V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-563, SOT-666
pd - рассеивание мощности400 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
power - max400mW
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs900mOhm @ 430mA, 4.5V
rds вкл - сопротивление сток-исток900 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияDMP2004
supplier device packageSOT-563
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 P-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-563-6
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
вес, г0.01
vgs - напряжение затвор-исток8 V
vgs(th) (max) @ id1V @ 250ВµA
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль