DMP1009UFDFQ-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки11 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки11 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности800 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
qg - заряд затвора44 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток11 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении7 ns
типичное время задержки выключения62.2 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокU-DFN2020-6
vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания10.6 ns
время спада61 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль