Name: DMP1009UFDF-7, P-Channel MOSFET, 11 A, 12 V, 6-Pin U-DFN2020 Diodes Inc DMP1009UFDF-7
SKU: DMP1009UFDF-7

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsThis MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Подробное описание

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	P
forward diode voltage	1.2V

Все характеристики

31 ₽

– +

Бонус: 0.62 !

Бонусная программа

Итого: 31 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	P
forward diode voltage	1.2V
maximum continuous drain current	11 A
maximum drain source resistance	30 mΩ
maximum drain source voltage	12 V
maximum gate source voltage	±8 V
maximum gate threshold voltage	1V
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	2 W
minimum gate threshold voltage	0.3V
minimum operating temperature	-55 C
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	1
package type	U-DFN2020
pin count	6
transistor configuration	Single
typical gate charge @ vgs	44 nC 8V
width	2.05mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки