DMNH6021SPSQ-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки55 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки55 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности53 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора19.7 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток12 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении4.2 ns
типичное время задержки выключения27.5 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокPowerDI5060-8
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
вес, г0.096
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания13 ns
время спада15.3 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль