DMN65D8LFB-7B
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 60 В 260 мА (Ta) 430 мВт (Ta) Поверхностный монтаж X1-DFN1006-3
| Вес и габариты | |
| base product number | DMN65 -> |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 260mA |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 260mA (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 60V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 5V, 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 400 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 25pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 3-UFDFN |
| pd - рассеивание мощности | 840 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 430mW (Ta) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 430mW |
| размер фабричной упаковки | 10000 |
| rds on - drain-source resistance | 3О© @ 115mA,10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 3Ohm @ 115mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | DMN65 |
| supplier device package | X1-DFN1006-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 3.27 ns |
| типичное время задержки выключения | 12.025 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | N Channel |
| упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 60V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| vgs - gate-source voltage | 2V @ 250uA |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| vgs(th) (max) @ id | 2V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 3.15 ns |
| время спада | 6.29 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26