DMN63D8LW-7, Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMN63D8LW-7
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| id - непрерывный ток утечки | 380 mA |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 80 mS |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum continuous drain current (a) | 0.38 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 2800 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 30 |
| maximum gate source leakage current (na) | 10000 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 1.5 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 420 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 420 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| ppap | No |
| product category | Small Signal |
| qg - заряд затвора | 0.9 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 Ohms |
| серия | DMN63 |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-323 |
| supplier temperature grade | Automotive |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 2.3 ns |
| типичное время задержки выключения | 11.4 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| typical fall time (ns) | 16.7 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 0.9 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 0.4 4.5V|0.9 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 23.2 25V |
| typical rise time (ns) | 3.9 |
| typical turn-off delay time (ns) | 11.4 |
| typical turn-on delay time (ns) | 2.3 |
| упаковка / блок | SOT-323-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 3.9 ns |
| время спада | 16.7 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26