Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств...

Подробное описание

Вес и габариты
aec qualified number	AEC-Q101
automotive	Yes
channel mode	Enhancement

Все характеристики

11 ₽

– +

Бонус: 0.22 !

Бонусная программа

Итого: 11 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
aec qualified number	AEC-Q101
automotive	Yes
channel mode	Enhancement
channel mode:	Enhancement
channel type	N
configuration	Single
configuration:	Single
eccn (us)	EAR99
eu rohs	Compliant
factory pack quantity: factory pack quantity:	10000
fall time:	11.96 ns
forward transconductance - min:	100 mS
hts	8541.29.00.95
id - continuous drain current:	410 mA
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum continuous drain current (a)	0.41
maximum drain source resistance (mohm)	1400@10V
maximum drain source voltage (v)	60
maximum gate source voltage (v)	±20
maximum operating temperature:	+150 C
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation (mw)	470
military	No
minimum operating temperature:	-55 C
minimum operating temperature (°c)	-55
mounting	Surface Mount
mounting style:	SMD/SMT
number of channels:	1 Channel
number of elements per chip	1
package/case:	X1-DFN1006-3
package height	0.47
package length	1
package width	0.6
packaging	Tape and Reel
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel
part status	Active
pcb changed	3
pd - power dissipation:	470 mW
pin count	3
product category	Power MOSFET
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
qg - gate charge:	2.8 nC
rds on - drain-source resistance:	1.4 Ohms
rise time:	4.93 ns
series:	DMN62D1SFB
standard package name	DFN
subcategory:	MOSFETs
supplier package	DFN
technology:	Si
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
typical fall time (ns)	11.96
typical gate charge @ 10v (nc)	1.39
typical gate charge @ vgs (nc)	0.73@4.5V\|1.39@10V
typical input capacitance @ vds (pf)	40@40V
typical rise time (ns)	4.93
typical turn-off delay time:	18.8 ns
typical turn-off delay time (ns)	18.8
typical turn-on delay time:	3.89 ns
typical turn-on delay time (ns)	3.89
vds - drain-source breakdown voltage:	60 V
vgs - gate-source voltage:	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	1.3 V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

DMN62D1SFB-7B