Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V~60V X1-DFN1006-3 T&R 10K

Подробное описание

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	320 mA
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор

Все характеристики

100 ₽

– +

Бонус: 2 !

Бонусная программа

Итого: 100 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	320 mA
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	0.5 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	0.9 nC
размер фабричной упаковки	10000
rds вкл - сопротивление сток-исток	2 Ohms
технология	Si
типичное время задержки при включении	3.4 ns
типичное время задержки выключения	26.4 ns
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	X1-DFN1006-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
вес, г	0.001
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	600 mV
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	3.4 ns
время спада	16.3 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

DMN62D1LFB-7B