DMN62D0UW-7, Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:DMN62D0UW-7
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Вес и габариты
channel mode
Enhancement
configuration
Single
factory pack quantity
3000
fall time
12.5 ns
forward transconductance - min
1.8 mS
id - continuous drain current
340 mA
manufacturer
Diodes Incorporated
maximum operating temperature
+ 150 C
minimum operating temperature
- 55 C
mounting style
SMD/SMT
number of channels
1 Channel
package / case
SOT-323-3
packaging
Cut Tape or Reel
pd - power dissipation
320 mW
product category
MOSFET
product type
MOSFET
qg - gate charge
500 pC
rds on - drain-source resistance
1.2 Ohms
rise time
2.5 ns
series
DMN62D0UW
subcategory
MOSFETs
technology
Si
transistor polarity
N-Channel
transistor type
1 N-Channel
typical turn-off delay time
22.6 ns
typical turn-on delay time
2.4 ns
unit weight
0.000176 oz
vds - drain-source breakdown voltage
60 V
vgs - gate-source voltage
20 V
vgs th - gate-source threshold voltage
500 mV
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26