DMN6068SE-13, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 4.1 А, 0.068 Ом, SOT-223, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMN6068SE-13
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
continuous drain current (id) @ 25в°c4.1A
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
continuous drain current (id) @ 25в°c4.1A
factory pack quantity: factory pack quantity:4000
fall time:8.7 ns
forward transconductance - min:19.7 S
id - continuous drain current:5.6 A
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
package/case:SOT-223-3
packaging:Reel, Cut Tape
pd - power dissipation:2 W
power dissipation-max (ta=25в°c)2W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:10.3 nC
rds on - drain-source resistance68mО© @ 12A,10V
rds on - drain-source resistance:68 mOhms
rise time:10.8 ns
series:DMN6068
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarityN Channel
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical turn-off delay time:11.9 ns
typical turn-on delay time:3.6 ns
vds - drain-source breakdown voltage60V
vds - drain-source breakdown voltage:60 V
vgs - gate-source voltage3V @ 250uA
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль