Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторыМОП-транзистор N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

Подробное описание

70 ₽

– +

Бонус: 1.4 !

Бонусная программа

Итого: 70 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторыМОП-транзистор N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	360 mA
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	2 Channel
конфигурация	Dual
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	310 mW
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	0.6 nC
размер фабричной упаковки	3000
rds вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
серия	DMN53
технология	Si
типичное время задержки при включении	2.7 ns, 2.7 ns
типичное время задержки выключения	19 ns, 19 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	2 N-Channel
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-363-6
vds - напряжение пробоя сток-исток	50 V
вес, г	0.2
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	800 mV
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	2.5 ns, 2.5 ns
время спада	11 ns, 11 ns

Отзывов нет

Кнопки

DMN53D0LDW-7, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 50 В, 360 мА, 1.6 Ом, SOT-363, Surface Mount