DMN4026SK3-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки28 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки28 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности3.4 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора9.6 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток20 mOhms
серияDMN40
технологияSi
типичное время задержки при включении4.3 ns
типичное время задержки выключения19.5 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
вес, г4
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания4.6 ns
время спада3.1 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль