DMN3730UFB4-7B

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки910 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
96
+
Бонус: 1.92 !
Бонусная программа
Итого: 96
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки910 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.40 mS
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности0.69 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора1.6 nC
размер фабричной упаковки10000
rds вкл - сопротивление сток-исток460 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении3.5 ns
типичное время задержки выключения38 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокX2-DFN1006-3
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.001
vgs - напряжение затвор-исток8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток450 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания2.8 ns
время спада13 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль