DMN3730UFB-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки730 mA
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки730 mA
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.40 mS
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности690 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
продуктMOSFET Small Signal
qg - заряд затвора1.6 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток460 mOhms
серияDMN37
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокX1-DFN1006-3
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль