DMN3022LFG-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки15 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки15 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.96 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора3.7 nC, 8 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток22 mOhms, 8 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении4.5 ns, 5.6 ns
типичное время задержки выключения7.2 ns, 11.7 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковкаReel
упаковка / блокPowerDI3333-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.044
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V, 800 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания1.8 ns, 2.5 ns
время спада1.9 ns, 2.4 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль