DMN3018SFG-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 30V 8.5A (Ta) 1W (Ta) PowerDI3333-8 для поверхностного монтажа
Вес и габариты
base product numberDMN3018 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c8.5A (Ta)
drain to source voltage (vdss)30V
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 30V 8.5A (Ta) 1W (Ta) PowerDI3333-8 для поверхностного монтажа
Вес и габариты
base product numberDMN3018 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c8.5A (Ta)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs13.2nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds697pF @ 15V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-PowerVDFN
power dissipation (max)1W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs21mOhm @ 10A, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packagePowerDI3333-8
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id2.1V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль