DMN3016LDN-7
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
| Вес и габариты | |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Dual |
| длина | 3 mm |
| factory pack quantity | 3000 |
| fall time | 5.6 ns, 5.6 ns |
| Высота | 0.8 мм |
| id - continuous drain current | 7.3 A |
| id - непрерывный ток утечки | 7.3 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 2 Channel |
| конфигурация | Dual |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| number of channels | 2 Channel |
| package / case | V-DFN3030-8 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| pd - power dissipation | 1.6 W |
| pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| product | Enhancement Mode MOSFET |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| продукт | Enhancement Mode MOSFET |
| qg - gate charge | 25.1 nC, 25.1 nC |
| qg - заряд затвора | 25.1 nC, 25.1 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 24 mOhms, 24 mOhms |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms, 24 mOhms |
| rise time | 16.5 ns, 16.5 ns |
| series | DMN3016 |
| серия | DMN3016 |
| subcategory | MOSFETs |
| technology | Si |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 4.8 ns, 4.8 ns |
| типичное время задержки выключения | 26.1 ns, 26.1 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 2 N-Channel |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | N-Channel |
| transistor type | 2 N-Channel |
| Тип | Enhancement Mode MOSFET |
| type | Enhancement Mode MOSFET |
| typical turn-off delay time | 26.1 ns, 26.1 ns |
| typical turn-on delay time | 4.8 ns, 4.8 ns |
| упаковка / блок | V-DFN3030-8 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 30 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| vgs - gate-source voltage | 20 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 1.4 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 16.5 ns, 16.5 ns |
| время спада | 5.6 ns, 5.6 ns |
| Ширина | 3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26