DMN3012LEG-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки20 A, 10 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
400
+
Бонус: 8 !
Бонусная программа
Итого: 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки20 A, 10 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2.2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора6.1 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток12 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении5.1 ns
типичное время задержки выключения6.4 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокPowerDI3333-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г44
vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания2.7 ns
время спада2.3 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль