DMN3009SSS-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки15 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки15 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.8 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора42 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток5.5 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении3.9 ns
типичное время задержки выключения31 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSO-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания4.1 ns
время спада15 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль