DMN3009SFG-7, MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMN3009SFG-7
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
fall time:14.6 ns
id - continuous drain current:16 A
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
package/case:PowerDI3333-8
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:900 mW
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:42 nC
rds on - drain-source resistance:9 mOhms
rise time:4.1 ns
series:DMN3009
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical turn-off delay time:31 ns
typical turn-on delay time:3.9 ns
vds - drain-source breakdown voltage:30 V
вес, г0.03
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль