DMN3009LFVW-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2000
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2000
fall time15 ns
id - continuous drain current60 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / casePowerDI3333-8
pd - power dissipation2 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge42 nC
rds on - drain-source resistance3.5 mOhms
rise time4.1 ns
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typical turn-off delay time31 ns
typical turn-on delay time3.9 ns
vds - drain-source breakdown voltage30 V
вес, г144
vgs - gate-source voltage10 V
vgs th - gate-source threshold voltage1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль