DMN3007LSSQ-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: 25V-30V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки16 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: 25V-30V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки16 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.16.4 S
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2.5 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора64.2 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток5 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении10.3 ns
типичное время задержки выключения85.1 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSO-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.074
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания14.8 ns
время спада43.6 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль