Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF

Подробное описание

120 ₽

– +

Бонус: 2.4 !

Бонусная программа

Итого: 120 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	250 mA
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	2 Channel
конфигурация	Dual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	180 ms
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	320 mW
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	1 nC
размер фабричной упаковки	10000
rds вкл - сопротивление сток-исток	990 mOhms
серия	DMN2990
технология	Si
типичное время задержки при включении	3.5 ns
типичное время задержки выключения	22 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	2 N-Channel
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	X2-DFN0606-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	2.1 ns
время спада	7.7 ns

Отзывов нет

Кнопки

DMN2990UFZ-7B