Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC

Подробное описание

96 ₽

– +

Бонус: 1.92 !

Бонусная программа

Итого: 96 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	600 mA
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	360 mW
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	880 pC
размер фабричной упаковки	10000
rds вкл - сопротивление сток-исток	450 mOhms
серия	DMN25
технология	Si
типичное время задержки при включении	7.1 ns
типичное время задержки выключения	105 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	X2-DFN0806-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	11 ns
время спада	36 ns

Отзывов нет

Кнопки

DMN2550UFA-7B