DMN2300UFL4-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный,...
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationDual
factory pack quantity3000
46
+
Бонус: 0.92 !
Бонусная программа
Итого: 46
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationDual
factory pack quantity3000
fall time13 ns
id - continuous drain current2.11 A
id - непрерывный ток утечки:2.11 A
канальный режим:Enhancement
категория продукта:МОП-транзистор
количество каналов:2 Channel
конфигурация:Dual
максимальная рабочая температура:+150 C
manufacturerDiodes Incorporated
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура:-55 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels2 Channel
package / caseX2-DFN1310-6
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation530 mW
pd - рассеивание мощности:530 mW
подкатегория:MOSFETs
полярность транзистора:N-Channel
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
производитель:Diodes Incorporated
qg - gate charge1.6 nC
qg - заряд затвора:1.6 nC
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:3000
rds on - drain-source resistance195 mOhms
rds вкл - сопротивление сток-исток:195 mOhms
rise time2.8 ns
seriesDMN23
серия:DMN23
subcategoryMOSFETs
technologySi
технология:Si
типичное время задержки при включении:3.5 ns
типичное время задержки выключения:38 ns
тип продукта:MOSFET
тип транзистора:2 N-Channel
торговая марка:Diodes Incorporated
transistor polarityN-Channel
transistor type2 N-Channel
typical turn-off delay time38 ns
typical turn-on delay time3.5 ns
упаковка:Reel, Cut Tape, MouseReel
упаковка / блок:X2-DFN1310-6
vds - drain-source breakdown voltage20 V
vds - напряжение пробоя сток-исток:20 V
вес, г0.01
vgs - gate-source voltage8 V
vgs - напряжение затвор-исток:-8 v, +8 v
vgs th - gate-source threshold voltage450 mV
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :450 mV
вид монтажа:SMD/SMT
время нарастания:2.8 ns
время спада:13 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль