DMN2300UFB4-7B

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity10000
10
+
Бонус: 0.2 !
Бонусная программа
Итого: 10
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity10000
fall time13 ns
id - continuous drain current1.3 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseX2-DFN1006-3
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation500 mW
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge1.6 nC
rds on - drain-source resistance175 mOhms
rise time2.8 ns
seriesDMN2300
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typical turn-off delay time38 ns
typical turn-on delay time3.5 ns
vds - drain-source breakdown voltage20 V
vgs - gate-source voltage4.5 V
vgs th - gate-source threshold voltage450 mV
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль