N-канальный полевой МОП-транзистор, от 12 В до 28 В, Diodes Inc.
Вес и габариты
channel mode
Поднятие
channel type
N
factory pack quantity
3000
forward diode voltage
1.2V
Высота
1 мм
length
3мм
manufacturer
Diodes Incorporated
maximum continuous drain current
4 A
maximum drain source resistance
85 mΩ
maximum drain source voltage
20 V
maximum gate source voltage
-8 V, +8 V
maximum gate threshold voltage
1V
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
940 mW
minimum gate threshold voltage
0.4V
minimum operating temperature
-55 °C
mounting style
SMD/SMT
mounting type
Поверхностный монтаж
number of elements per chip
1
package / case
SOT-23-3
package type
SOT-23
packaging
Cut Tape or Reel
pin count
3
product category
MOSFET
product type
MOSFET
серия
DMN2056U
subcategory
MOSFETs
technology
Si
transistor configuration
Одинарный
typical gate charge @ vgs
4.3 nC @ 10 V
вес, г
0.01
width
1.4мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26